A Apple está a preparar a introdução de mais RAM nos iPhones

 

A Apple nunca deu grande destaque à quantidade de memória RAM empregue nos seus smartphones, mas a verdade é que a mesma tem aumentado nos últimos anos. Por exemplo, todos os iPhone 16 têm 8 GB de RAM, mas a empresa quer mais.

De acordo com rumores trazidos a público por Mobile Chip Expert, na Weibo, a Apple irá colocar 12 GB de RAM num dos seus futuros iPhone. 

Ainda assim, este salto não deverá acontecer no próximo ano.

O iPhone 18 Pro deverá ser o primeiro com 12 GB de RAM.

De acordo com esse rumor, o aumento na memória RAM do iPhone deverá acontecer em 2026. Isto significa que deverá ser na geração iPhone 18 que este salto se concretizará.

Pelo menos um desses equipamentos contará com 12 GB de RAM. Ou seja, tal só deverá acontecer nos modelos mais caros da linha, no Iphone Pro ou Pro Max.

Este aumento na quantidade de memória RAM dos iPhone 18 será uma das consequências de um novo método de acondicionamento dos seus componentes. A Apple deverá optar por uma tecnologia que lhe permitirá acondicionar ainda mais componentes no mesmo chip.

Atualmente, A Apple usa uma tecnologia que lhe permite juntar componentes como o processador e a RAM no mesmo local. Em 2026, eles deverão optar por uma nova tecnologia que permitirá o acondicionamento de ainda mais componentes no mesmo chip.

Essa tecnologia permitirá melhorar ainda mais o desempenho dos seus componentes e a sua eficiência energética. Isso significa que também os processadores A20 e A20 Pro beneficiarão desta transição, oferecendo um desempenho ainda melhor.

O último aumento na quantidade de memória RAM do iPhone tem um culpado: a Apple Intelligence. Um representante da Apple já veio confirmar em entrevista, dizendo que foi necessário dar o salto para os 8 GB, para que os iPhones 16 fossem compatíveis com os recursos de inteligência Artificial.

A contínua aposta da Apple nesta tecnologia pode ser um indicador de que a Apple Intelligence poderá ser ainda mais performante num futuro próximo.